"최태원의 AI 메모리 '슈퍼팹' 승부수"...SK하이닉스, 용인 클러스터에 21.6조원 추가 투입

  • 등록 2026.02.25 18:53:16
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1기 팹 클린룸 5개 추가 구축…총 투자액 약 31조원
EUV 등 첨단 장비 도입…HBM·차세대 D램 생산 강화
용인에 최첨단 팹 4개 건설…총 600조원 단계적 투자

[서울타임즈뉴스 = 최남주 기자] SK그룹 최태원 회장이 미래형 AI 메모리 ‘슈퍼 팹’을 구축하기 위해 SK하이닉스 시설 투자를 대폭 강화한다. SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터 1기 팹 완공을 위해 21조6081억원을 추가 투자하기로 했다. 인공지능(AI) 반도체 수요 급증에 선제 대응해 생산 능력을 대폭 확충하겠다는 포석이다.

 

25일 금융감독원 전자공시시스템에 따르면 SK하이닉스는 이사회 결의를 통해 용인 반도체 클러스터 1기 팹 내 클린룸 페이즈(Phase) 2~6기 건설에 21조6081억원을 투자하기로 결정했다. 이는 최근 사업연도 말 연결 기준 자기자본(73조9157억원)의 29.23%에 해당하는 규모다. 투자 기간은 3월 1일부터 2030년 12월 31일까지다.

 

앞서 SK하이닉스는 지난 2024년 7월 1기 팹 및 초기 운영에 필요한 부대시설 구축에 9조4000억원을 투자하기로 한 바 있다. 이번 추가 결정으로 1기 팹에 투입되는 총 투자액은 약 31조원으로 늘어났다. 완공시 1기 팹은 2개 골조와 6개 클린룸을 갖춘 대규모 생산시설로 운영되며, 고대역폭 메모리(HBM)와 차세대 D램을 중심으로 한 AI 메모리 생산 거점 역할을 맡는다.

용인 반도체 클러스터는 경기 용인시 처인구 원삼면 일대 416만㎡ 규모로 조성된다. 이 중 197만㎡ 부지에 최첨단 팹 4개가 순차적으로 건설될 예정이다. SK하이닉스는 국내외 소재·부품·장비 기업 50여 곳과 협력 단지를 구축하고, 장기적으로 총 600조원 규모의 투자를 단계적으로 집행할 계획이다.

 

특히 공장 규모를 기존 계획보다 1.5배 확대하고, 극자외선(EUV) 노광장비 등 첨단 설비를 적극 도입해 AI 데이터센터와 고성능 컴퓨팅(HPC) 시장의 폭발적인 수요 증가에 대응한다는 방침이다. SK하이닉스 관계자는 “AI 시대 확산으로 첨단 반도체 수요가 급증하는 만큼, 대규모 생산 능력과 안정적 공급 체계 구축이 핵심”이라며 “용인 반도체 클러스터를 국가 반도체 경쟁력을 좌우할 전략 거점으로 육성하겠다”고 말했다.

최남주 기자 calltaxi@seoultimes.news
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