[서울타임즈뉴스 = 박현규 기자]삼성전자가 수조원을 투입해 독자개발한 핵심 공정기술을 빼돌려 중국에서 반도체 제조업체를 세운 삼성전자 전직 임원이 구속 상태로 재판에 넘겨졌다. 서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 안동건)는 27일 삼성전자 및 하이닉스 반도체 부문 임원을 지낸 중국 반도체 회사 '청두가오전' 대표 최모(66)씨와 개발실장 오모(60)씨를 산업기술 보호법 위반, 부정경쟁방지법 위반 등 혐의로 구속기소 했다고 밝혔다.

최모씨는 삼성전자 상무와 하이닉스반도체(현 SK하이닉스) 부사장을 지내며 국내 반도체 업계에서 30년을 근무한 제조 분야 최고 전문가로 꼽히며, 2019년 말 중국 청도시 로부터 4천억원 상당을 투자받아 청두가오전을 설립한 뒤 삼성전자에서 D램 메모리 수석 연구원으로 근무한 오모씨 등 기술자를 통해 삼성전자의 20나노 D램 반도체 핵심 공정 기술을 무단으로 사용한 혐의를 받는다.

이들은 삼성전자가 개발비 4조원을 투입해 개발한 국가핵심기술인 D램 공정기술을 빼돌려 글로벌 반도체 회사들도 통상 4~5년이 소요되는 D램 반도체 공정 기술을 1년 6개월 만에 개발함으로써 중국 내에서 두 번째로 D램 시범 웨이퍼 생산에 성공해 삼성전자에 최소 수십조원에 이르는 피해를 줬을 것으로 추산했다. 시범 웨이퍼는, 적용한 기술이 실제 반도체로서의 기능을 할 수 있는지를 측정하는 기초 개발 제품을 말한다.

검찰은 추가 수사를 통해 최씨가 860억원 상당의 청두가오전 지분을 취득하고, 보수 명목으로 18억원을 받아 챙긴 사실도 밝혀냈으며 청두가오전이 조직적으로 범행을 계획·실행한 사실을 추가로 확인해 이 회사도 함께 재판에 넘겼다. 검찰은 "앞으로도 피해기업과 국가 경제를 위협하는 기술유출 범죄에 엄정 대응하겠다"고 말했다.